IGBT

Transistor IGBT
IGBT 3300V 1200A Mitsubishi.jpg
Mitsubishi IGBT-Module với dòng 1200 A và điện áp cực đại 3300 V
LoạiChủ động
Châncollector, gate, emitter
Ký hiệu điện
IGBT N-enh symbol (case).svg IGBT N-dep symbol (case).svg

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): Transistor có cực điều khiển cách ly là một linh kiện bán dẫn công suất 3 cực được phát minh bởi Hans W. Beck và Carl F. Wheatley vào năm 1982. IGBT kết hợp khả năng đóng cắt nhanh của MOSFET và khả năng chịu tải lớn của transistor thường. Mặt khác IGBT cũng là phần tử điều khiển bằng điện áp, do đó công suất điều khiển yêu cầu sẽ cực nhỏ.[1]

En otros idiomas