Transistor IGBT | referencias

Referencias

  1. Ching Tee, Elizabeth Kho; Hölke, Alexander; Pilkington, Steven John; Pal, Deb Kumar; Liang Yew, Ng; Zainal Abidin, Wan Azlan Wan (noviembre-diciembre de 2012). «A Review of techniques used in Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor (LGTB)». OSR Journal of Electrical and Electronics Engineering (en inglés) (International Organization of Scientific Research) 3 (1): 38. 2278-1676. Consultado el 28 de abril de 2016. 
  2. Baliga, B. Jayant (2015). The IGBT Device: Physics, Design and Applications of the Insulated Gate Bipolar Transistor (1 edición). Elsevier. p. 12. ISBN 9781455731435. Consultado el 29 de abril de 2016. 
  3. «The insulated gate rectifier (IGR): A new power switching device». IEEE Xplore 28. 1982. 10.1109/IEDM.1982.190269. Consultado el 29 de abril de 2016. 
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  6. «History of IGBT and its Impact in our Life» (en inglés). USComponent Inc. Consultado el 28 de abril de 2016. 
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