Galliumarsenide

Galliumarsenide
Structuurformule en molecuulmodel
Kristalstructuur van galliumarsenide
Kristalstructuur van galliumarsenide
Algemeen
Molecuulformule
     (uitleg)
GaAs
IUPAC-naamgalliumarsenide
Molmassa144,645 g/mol
SMILES
Ga#As
CAS-nummer1303-00-0
BeschrijvingGrijze kubische kristallen
Waarschuwingen en veiligheidsmaatregelen
ToxischMilieugevaarlijk
Gevaar
H-zinnenH301 - H331 - H410
EUH-zinnengeen
P-zinnenP261 - P273 - P301+P310 - P311 - P501
Carcinogeenja
Fysische eigenschappen
Aggregatietoestandvast
Kleurgrijs
Dichtheid5,31 g/cm³
Smeltpunt1238 °C
Oplosbaarheid in water(bij 20°C) < 1 g/l
Slecht oplosbaar inwater
Geometrie en kristalstructuur
Kristalstructuurkubisch
Cop,m47 J/mol·K
Soortelijke warmte350 J/kg·K
Warmtegeleidingscoëfficiënt46 J/kg·K
Soortelijke weerstand1·106 Ω·m
Waar mogelijk zijn SI-eenheden gebruikt. Tenzij anders vermeld zijn standaardomstandigheden gebruikt (298,15 K of 25 °C, 1 bar).
Portaal  Portaalicoon  Scheikunde

Galliumarsenide (GaAs) is een anorganische verbinding tussen gallium en arseen. Het is een belangrijke halfgeleider met toepassingen in leds en zonnecellen. Vanwege zijn hoge elektromobiliteit kunnen elektronen erg snel van het ene naar het andere atoom overspringen. Hierom wordt galliumarsenide veel toegepast in geïntegreerde schakelingen waarbij hoge frequenties (tot meer dan 250 GHz) gebruikt worden.

In andere talen
azərbaycanca: Qallium arsenid
беларуская: Арсенід галію
български: Галиев арсенид
čeština: Arsenid gallitý
한국어: 갈륨비소
Plattdüütsch: Galliumarsenid
polski: Arsenek galu
srpskohrvatski / српскохрватски: Galijum arsenid
Simple English: Gallium arsenide
српски / srpski: Galijum arsenid
українська: Арсенід галію
Tiếng Việt: Arsenua gali
吴语: 砷化镓
中文: 砷化鎵