ヒ化ガリウム

ヒ化ガリウム
識別情報
CAS登録番号1303-00-0 チェック
PubChem14770
RTECS番号LW8800000
特性
化学式GaAs
モル質量144.645 g/mol
外観灰色結晶
密度5.316 g/cm3[1]
融点

1238 °C, 1511 K, 2260 °F

への溶解度< 0.1 g/100 mL (20 °C)
バンドギャップ1.424 eV (300 K)
熱伝導率0.55 W/(cm·K) (300 K)
屈折率 (nD)3.0 - 5.0[2]
構造
結晶構造閃亜鉛鉱
空間群T2d-F-43m
配位構造四面体形
分子の形直線形
危険性
安全データシート(外部リンク)External MSDS
EU分類有毒 (T)
環境への危険性 (N)
NFPA 704
NFPA 704.svg
1
3
2
W
RフレーズR23/25 R50/53
SフレーズS1/2 S20/21 S28 S45 S60 S61
特記なき場合、データは常温 (25 °C)・常圧 (100 kPa) におけるものである。

ヒ化ガリウム(ヒかガリウム、gallium arsenide)はガリウムヒ化物であり、組成式はGaAsである。化合物半導体であるため、その性質を利用して半導体素子の材料として多用されている。半導体分野ではガリウムヒ素(ガリウム砒素)という俗称[要出典][3]、さらにはそれを短縮したガリヒ素という呼称で呼ばれることも多い。

他の言語で
azərbaycanca: Qallium arsenid
беларуская: Арсенід галію
български: Галиев арсенид
čeština: Arsenid gallitý
한국어: 갈륨비소
Plattdüütsch: Galliumarsenid
Nederlands: Galliumarsenide
polski: Arsenek galu
srpskohrvatski / српскохрватски: Galijum arsenid
Simple English: Gallium arsenide
српски / srpski: Galijum arsenid
українська: Арсенід галію
Tiếng Việt: Arsenua gali
吴语: 砷化镓
中文: 砷化鎵