גליום ארסניד

תא יחידה של גליום ארסניד

גליום ארסניד (נוסחה כימית: GaAs, לעיתים נהגה בעברית כ"גאס") הוא חומר מוליך למחצה מורכב מסדרת III-V, כלומר - חומר המורכב משני יסודות מהטורים השלישי (III) והחמישי (V) בטבלה המחזורית - מגליום ומארסן. חומר זה הוא מוליך למחצה, בדומה לצורן ולגרמניום (השייכים לטור הרביעי).

הגליום ארסניד הוא מוליך למחצה בעל פער אנרגיה ישיר, וזאת בניגוד לצורן ולגרמניום בעלי פער האנרגיה הלא-ישיר. תכונה זו מקנה לגליום ארסניד יתרונות במיוחד בהתקנים אלקטרואופטיים כגון לייזרים, דיודות פולטות אור (LED), תאים סולאריים ועוד. לגאליום ארסניד פער אנרגיה של 1.424 אלקטרון וולט, הגבוה מזה של סיליקון, 1.12 אלקטרון וולט ושל גרמניום, 0.66 אלקטרון וולט.[1] ניתן להנדס את פער האנרגיה של גליום ארסניד באמצעות סגסוג. לדוגמה ניתן להקטין את פער האנרגיה באמצעות סגסוג של אינדיום, ולהגדיל את פער האנרגיה באמצעות סגסוג של אלומיניום.

פרוסה בקוטר 2 אינץ' של גליום ארסנייד חד-גבישי עם אוריינטציית פני-שטח (100). על גבי הפרוסה ניתן להבחין בהשתקפות של כפפת ניטריל בצבע סגול.
Other Languages
azərbaycanca: Qallium arsenid
беларуская: Арсенід галію
български: Галиев арсенид
čeština: Arsenid gallitý
한국어: 갈륨비소
Plattdüütsch: Galliumarsenid
Nederlands: Galliumarsenide
polski: Arsenek galu
srpskohrvatski / српскохрватски: Galijum arsenid
Simple English: Gallium arsenide
српски / srpski: Galijum arsenid
українська: Арсенід галію
Tiếng Việt: Arsenua gali
吴语: 砷化镓
中文: 砷化鎵