حافظه فلش

درایو یک یواس‌بی فلش. قطعه طرف چپ حافظهٔ فلش و میکروکنترولر در طرف راست است.

حافظهٔ فلش یا فلش مموری (به انگلیسی: Flash memory)، حافظهٔ غیر فرّار ذخیره‌سازی رایانه‌ای است که می‌توان آن را به صورت الکتریکی پاک و دوباره برنامه‌ریزی کرد. این فناوری عمدتاً در کارت‌های حافظه و یواس‌بی استفاده می‌شود و برای ذخیره‌سازی عمومی و انتقال داده‌ها بین رایانه‌ها و دیگر محصولات دیجیتال به کار می‌رود. این نوع خاصی از EEPROM (حافظهٔ فقط خواندنی پاک‌شدنی و قابل برنامه‌ریزی به صورت الکتریکی) است که در قطعات بزرگ، پاک و برنامه‌ریزی شده‌است. از آنجا که حافظهٔ فلش غیر فرّار است، هیچ نیرویی برای نگه داشتن اطلاعات درون قطعه مورد نیاز نیست. علاوه بر این، این حافظه به ارایه گذاشتن سریع اطلاعات در هر دسترسی (اگر چه به اندازهٔ حافظه فرّار دینامیک دسترسی تصادفی (DRAM)، که برای حافظه اصلی در رایانه‌ها به کار می‌رود سریع نیست) ولی مقاوم‌تر از دیسک سخت (Hard disk) در برابر شوک حرکتی می‌باشد.

دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام گذاری شده‌اند سلولهای مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوطه را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به‌طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارتهای حفظ فلش‌های یواس‌بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌شود. فلش‌های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می‌شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است. فلش‌های NOR و NAND نام خود را از روابط داخلی بین سلول‌های حافظه‌شان می‌گیرند. مشابه گیت نند، در فلش‌های نند هم گیت‌ها در سری‌هایی به هم متصل هستند. در یک گیت NOR ترانزیستورها به‌طور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش NOR سلول‌ها به‌طور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلول‌ها می‌توانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامه‌نویسی شوند. [۱] در مقایسه با فلش‌های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آنها می‌افزاید. در حالی که فلش‌های NOR می‌توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌های NAND می‌توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.

زبان های دیگر
Afrikaans: Flitsgeheue
العربية: ذاكرة وميضية
беларуская: Флэш-памяць
български: Флаш-памет
bosanski: Flash memorija
čeština: Flash paměť
Zazaki: Viro flaş
Ελληνικά: Μνήμη φλας
English: Flash memory
Esperanto: Fulmomemoro
español: Memoria flash
eesti: Välkmälu
euskara: Flash memoria
français: Mémoire flash
hrvatski: Flash memorija
interlingua: Memoria flash
Bahasa Indonesia: Memori kilat
italiano: Memoria flash
Basa Jawa: Memori Kilat
қазақша: Flash жады
lietuvių: Atmintukas
latviešu: Zibatmiņa
олык марий: Flash-шарныш
Bahasa Melayu: Ingatan kilat
Nederlands: Flashgeheugen
norsk: Flashminne
português: Memória flash
română: Memorie flash
русский: Флеш-память
Simple English: Flash memory
slovenčina: Flash pamäť
slovenščina: Bliskovni pomnilnik
српски / srpski: Флеш меморија
svenska: Flashminne
Türkçe: Flaş bellek
українська: Флеш-пам'ять
Tiếng Việt: Bộ nhớ flash
中文: 闪存