Isoleeritud paisuga bipolaartransistor

Isoleeritud paisuga bipolaartransistor (inglise keeles Insulated-gate bipolar transistor, IGBT) on jõuelektroonika pooljuhtseadis, mida kasutatakse suurevoolulistes ja suhtelistelt kõrge pingega ahelates kiiretoimeliste lülititena.

Isoleeritud paisuga bipolaartransistori tingmärke
IGBT aseskeemid:
vasakul ‒ ühe bipolaartransistoriga;
paremal ‒ kahe bipolaartransistoriga, mis on ühendatud Darlingtoni skeemi järgi
IGBT moodul pingele kuni 3300 V, voolule kuni 1200 A, firma Mitsubishi
Avatud kestaga IGBT moodul
Teistes keeltes