High-electron-mobility transistor

Querschnitt eines InGaAs-pseudomorphen HEMT

Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.

Andere Bezeichnungen für diesen Transistortyp sind modulation-doped field-effect transistor (MODFET), two-dimensional electron-gas field-effect transistor (TEGFET), selectively-doped heterojunction transistor (SDHT) und heterojunction field-effect transistor (HFET).[1]

Er wurde von Takashi Mimura und Kollegen 1979 bei Fujitsu entwickelt.[2][3][4]