Insulated gate bipolar transistor

IGBT diagramsymbol.
En IGBT pakket ind i et hus med skrueterminaler. IGBTen kan klare 3300V og 1200A og er en Mitsubishi CM1200HC-66H.
Lodret tværsnit principtegning af en IGBT.
En karakteristik af en IGBT.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) er en elektronisk komponent, der kombinerer MOSFET- og bipolar transistor-teknologi.

Bruges den strømstærke operationsforstærker, AD8031, i kontrolkredsløbet, er et ret ret afladningsforløb og en ekstremt lodret forflanke indenfor det opnåelige. Herved opnås høje spændinger – ja op til mange mange kilovolt – ved fuld kontrol.

Andre sprog