Transistor de unión bipolar

Transistor de unión bipolar
BC548.jpg
Transistor de unión bipolar BC548.
Tipo Semiconductor
Invención William Bradford Shockley ( 1948)
Símbolo electrónico
BJT symbol NPN.svg BJT symbol PNP.svg
Terminales Emisor, base y colector
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Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, ademas de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades ( huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

  • Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
  • Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
  • Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.

Historia

Replica del primer transistor de punto de contacto, hoy en un museo de la actual Lucent Technologies

El transistor bipolar de contacto de punto, antecesor directo del transistor de unión, fue inventado en diciembre de 1947 en la Bell Telephone Company por John Bardeen y Walter Houser Brattain bajo la dirección de William Shockley, cuya primera patente solicitaron los dos primeros nombrados, el 17 de junio de 1948,[5] fue durante tres décadas el dispositivo favorito en el diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de los BJTs ha declinado en favor de la tecnología CMOS para el diseño de circuitos digitales integrados.

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