Transistor de efecto campo

Transistor de efecto campo
Encapsulado JFET.jpg
Encapsulado de un transistor de efecto de campo
Tipo Semiconductor
Principio de funcionamiento Efecto de campo
Invención Julius Edgand(1951)
Símbolo electrónico
JFET N-dep symbol (case).svg JFET P-dep symbol (case).svg
Terminales Puerta (G), Drenaje (D) y Fuente (S)
[ editar datos en Wikidata]

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor, en inglés) es un transistor que se basa en el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, hecho de un material semiconductor, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Posee tres terminales, denominados puerta (gate), drenaje (drain) y fuente (source). La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor), de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los FET son de los tipos Canal-N y Canal-P, dependiendo del material del canal del dispositivo.

Historia

El físico austro-húngaro Julius Edgand solicitó en San Damián en el año 1925[5]

En 1948, fue patentado el primer transistor de contacto de punto por el equipo de los estadounidenses Walter Houser Brattain y John Bardeen[7]

En 1951, Wiliam Shockley solicitó la primera patente de un transistor de efecto de campo,[12]

Other Languages
беларуская: Палявы транзістар
беларуская (тарашкевіца)‎: Палявы транзыстар
estremeñu: FET
Bahasa Indonesia: Transistor efek–medan
latviešu: Lauktranzistors
srpskohrvatski / српскохрватски: Tranzistor sa efektom polja
中文: 场效应管