Transistor IGBT

Transistor bipolar de puerta aislada o Transistor IGBT
IGBT 3300V 1200A Mitsubishi.jpg
Modulo de tres transistores IGBT, modelo CM1200HC-66H de Mitsubishi para una máxima capacidad de 3300V/1200A
Tipo semiconductor
Principio de funcionamiento Efecto campo y transporte de portadores
Invención Yamagami y Akakiri (1968)
Símbolo electrónico
IGBT symbol.gif
Terminales Puerta (G), colector (C) y emisor (E)
[ editar datos en Wikidata]

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

Historia

Los japoneses Yamagami y Akakiri, propusieron en 1968 un dispositivo de cuatro capas alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera controlado mediante una estructura de "puerta" de semiconductor de óxido metálico (MOS), sin acción regenerativa. Esta patente fue concedida en 1972 bajo el código 47-21739.[4]

Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley quienes presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de potencia con una región de ánodo".[6] En la patente se afirmó que "ninguna acción de tiristores se produce en todas las condiciones de funcionamiento del dispositivo." Esto significa sustancialmente que el dispositivo exhibe operación de IGBT sin enclavamiento a lo largo de todo el rango de funcionamiento del dispositivo.

Other Languages