PRAM

La memoria de cambio de fase (phase-change RAM, también llamada PRAM, PCRAM, PCM, Ovonic unified memory —memoria ovónica unificada— y C-RAM, de calcógeno) es un tipo de memoria no volátil. Utiliza vidrio calcógeno ( anfígeno) que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino y amorfo por medio del uso de calor. Es parte de un grupo de nuevas tecnologías de memoria que buscan competir con la memoria Flash en el campo de las memorias no volátiles supliendo las carencias de ésta.[1]

Introducción

Stanford Ovshinsky (Energy Conversion Devices) exploró las propiedades del vidrio calcógeno y su potencial de almacenamiento en los años 60. En el número de septiembre de 1970 de Electronics, Gordon Moore (cofundador de Intel) publicó un artículo acerca de esta tecnología, aunque la calidad de los materiales y los problemas de consumo evitaron su comercialización. El interés ha resurgido recientemente con los problemas previsibles de escalado de las memorias Flash y DRAM.

Los dos estados del vidrio calcógeno poseen una resistividad extremadamente diferente, que conforma la base del almacenamiento de información. El estado amorfo posee una gran resistencia y se utiliza para representar el cero binario, mientras que el estado cristalino de baja resistencia representa al uno. El calcógeno es el mismo material que se utiliza en dispositivos ópticos regrabables (como CD-RW y DVD-RW). En estos casos lo que se manipula son las propiedades ópticas en lugar de la resistividad, ya que el índice de refracción del calcógeno también varía según el estado.

La PRAM aún no ha llegado a su etapa de comercialización, aunque prácticamente todos los prototipos utilizan una aleación calcógena de germanio, antimonio y telurio ( GeSbTe) denominada GST. Se calienta a temperaturas de 600 °C para licuar el calcógeno; tras su enfriamiento se congela adoptando un estado vítreo amórfico de alta resistencia eléctrica. Al calentarlo por encima de su punto de cristalización pero por debajo de su punto de fusión se transforma en un estado cristalino de resistencia mucho menor. Este proceso de cambio de fase puede completarse en cinco nanosegundos según una solicitud de patente de enero de 2006 por parte de Samsung Electronics. Estos tiempos son comparables a los de memorias volátiles como la DRAM actual, con tiempos del orden de 2 ns.

Sección de dos celdas de memoria PRAM a lo largo de la línea de bit (una se encuentra en estado cristalino y la otra en amorfo).
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