Memoria reprogramable

Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967.

Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación.

Celda FAMOS

Estructura FAMOS

La estructura FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS) se muestra en la figura 1. Es un transistor MOS con su puerta de polisilicio aislada totalmente por dióxido de silicio. Para grabar la memoria, el drenador se polariza para alcanzar tensión de avalancha y los electrones de avalancha se inyectan en el óxido. Esta carga modifica la tensión umbral del transistor.

Celda MIOS
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